2N7002K-T1-E3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 300 mA

Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 0.6 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 350 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.45 mm  

长度: 2.9 mm  

系列: 2N7002K  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 1.6 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 值: 100 mS  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 35 ns  

典型接通延迟时间: 25 ns  

零件号别名: 2N7002K-E3  

单位重量: 8 mg

2N7002K-T1-E3

特征：

•低导通电阻：2

•低阈值：2 V（典型值）

•低输入电容：25 pF

•快速切换速度：25 ns

•低输入和输出泄漏

•TrenchFET®功率MOSFET

•2000 V ESD保护

2N7002K-T1-E3

优点：

•低偏移电压

•低压操作

•无需缓冲即可轻松驱动

•高速电路

•低误差电压

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