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MOSFET场效应管 N-MOS N沟道 电压20V 电流1.3A 贴片三极管 美国仙童FAIRCHILD NDS331N

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  • 企业名:日新电子国际有限公司

    类型:生产企业

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    手机:15986655004

    联系人:郭泽斌

    QQ: QQ:2851286825

    邮箱:rxdzic@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强广场B座15楼H

产品分类
商品信息

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 25 ns
高度: 0.94 mm
长度: 2.92 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 1.4 mm
零件号别名: NDS331N_NL
单位重量: 30 mg



场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管



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企业名:日新电子国际有限公司

类型:生产企业

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手机:15986655004

联系人:郭泽斌

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