深圳市龙翔电子有限公司生产销售的场效应管主要可用于电子电路,*是在音响领域更占一席之地,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻*,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小.场效应管分结型、*缘栅型(MOS)两大类。按沟道材料型和*缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，*缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。场效应管分为结型场效应管（JFET）和*缘栅场效应管（MOS管）场效应管的主要作用:

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻*很高，因此耦合电容可以容量较小，不*使用电解电容器。

　　2.场效应管很高的输入阻**适合作阻*变换。常用于多级放大器的输入级作阻*变换。

　　3.场效应管可以用作可变电阻。

　　4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

场效应管的工作原理如下:

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏*-源*间流经沟道的ID，用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很

大，根据漏*-源*间所加VDS的电场，源*区域的某些电子被漏*拉去，即从漏*向源*有电流ID流动。从门*向漏*扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有*缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏*-源*间的电场，实际上是两个过渡层接触漏*与门*下部附近，由于漂移电场拉去的*电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源*的很短部分，这更使电流不能流通。

产品有直插和贴片两种类型供客户选用。

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