P-DIT/塑料双列直插
SGH80N60UFD
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
FAIRCHILD/*童
P沟道
结型(JFET)
耗尽型
类型：经销商
电话：
联系人：刘艳红
地址：北京中国 北京市海淀区 海淀区远大路
∟ 结型场效应管(2)
一、IGBTSGH80N60UFD主要技术参数
• High speed switching
• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A
• High input impedance
• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50ns (t*.)
二、IGBTSGH80N60UFD实物拍摄
IGBTSGH80N60UFD
IGBTSGH80N60UFD
IGBTSGH80N60UFD
*说明：尊敬的客户，本公司发布的产品价格为参考价格。如需获取具体产品信息请咨询旺旺在线客服，或拨打。公司全体员工*恭候您来电来函咨询。
3
MSN:
手机：
座机：/
传真：
原装！欢迎惠顾！
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
