P-DIT/塑料双列直插
SGH80N60UFD
ALGaAS铝镓砷
A/宽频带放大
FAIRCHILD/*童
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
类型:经销商
电话:
联系人:刘艳红
地址:北京中国 北京市海淀区 海淀区远大路
∟ 结型场效应管(2)
一、IGBT SGH80N60UFD主要技术参数
• High speed switching |
• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A |
• High input impedance |
• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50ns (t*.) |
二、IGBT SGH80N60UFD实物拍摄
IGBT SGH80N60UFD
IGBT SGH80N60UFD
IGBT SGH80N60UFD
IGBT SGH80N60UFD
*说明:尊敬的客户,本公司发布的产品价格为参考价格。如需获取具体产品信息请咨询旺旺在线客服,或拨打。公司全体员工*恭候您来电来函咨询。
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