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MOS管 三*管 场效应IRG4IBC30S IRG4IBC30 IRG4IBC30SPbF

MOS管 三*管 场效应IRG4IBC30S IRG4IBC30 IRG4IBC30SPbF
MOS管 三*管 场效应IRG4IBC30S IRG4IBC30 IRG4IBC30SPbF
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4IBC30S

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 开启电压:

    *(V)

  • 夹断电压:

    *(V)

  • 跨导:

    *(μS)

  • *间电容:

    ***********(pF)

  • 低频噪声系数:

    *(dB)

  • 漏*电流:

    *(mA)

  • 耗散功率:

    *(mW)

普通会员
  • 企业名:结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

    类型:经销商

    电话:

    手机:18922867849

    联系人:韦蘅珍

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室

产品分类
商品信息

数据列表 IRG4IBC30SPbF
 
产品相片 TO-220AB Pkg
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品 
家庭 IGBT - 单路 
系列 -
IGBT 类型 -
 
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 600V
 
Vge, Ic时的*大Vce(开) 1.6V @ 15V, 18A
 
电流 - 集电* (Ic)(*大) 23.5A
 
功率 - *大 45W
 
输入类型 标准型
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220AB 整包
 
包装 管件

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联系方式

企业名:结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

类型:经销商

电话:

手机:18922867849

联系人:韦蘅珍

地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室

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