IR/国际整流器
IRFIB5N65A
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
*(V)
*(V)
*(μS)
*(pF)
*(dB)
*(mA)
*(mW)
类型:经销商
电话:
手机:18922867849
联系人:韦蘅珍
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室
∟ 结型场效应管(92)
数据列表 IRFIB5N65APbF
产品相片 TO-220AB
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 930 毫欧 @ 3.1A, 10V
漏*至源*电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5.1A
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 48nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1417pF @ 25V
功率 - *大 60W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商设备封装 TO-220-3
包装 管件
类型:经销商
电话:
手机:18922867849
联系人:韦蘅珍
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司