FAIRCHILD/*童
FDP5690
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
*(V)
*(V)
**(μS)
*(pF)
*(dB)
*(mA)
*(mW)
类型:经销商
电话:
手机:18922867849
联系人:韦蘅珍
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室
∟ 结型场效应管(92)
数据列表 FDB5690, FDP5690
产品相片 TO-220-3 Pkg
标准包装 400
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 PowerTrench®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 27 毫欧 @ 16A, 10V
漏*至源*电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 32A
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1120pF @ 25V
功率 - *大 58W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220
包装 管件
类型:经销商
电话:
手机:18922867849
联系人:韦蘅珍
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室
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