TOS东芝  2SK3569  场效应管

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:N 

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

配置:Single

高度:15 mm 

长度:10 mm 

系列:2SK3569

 晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.5 mm 

商标:Toshiba 

产品类型:MOSFET 

工厂包装数量:50 

子类别:MOSFETs 

单位重量:2 g

2SK3569  场效应管

预防

当低工作电流值I D = -0.1mA时，V th可以表示为栅极和源极之间的电压

这个产品。 对于正常的开关操作，V GS（on）需要比V th更高的电压，而V GS（off）则需要更低的电压

电压高于V th。

（关系可以如下建立：V GS（off）<V th <V GS（on））

在使用设备时请考虑到这一点。

处理注意事项

处理尚未安装在电路板上的单个设备时，请确保环境符合要求

防止静电放电。 操作人员应穿防静电衣物，以及容器等物体

与设备直接接触的部件应由防静电材料制成。

注意：在重负荷下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和显着变化

温度等）可能会导致本产品在减少

可靠性显着，即使工作条件（即

工作温度/电流/电压等）都在

额定值。

场效应管  场效应管

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