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STD11NM60N TO-252 场效应管MOS管原装ST

STD11NM60N TO-252 场效应管MOS管原装ST

STD11NM60N TO-252 场效应管MOS管原装ST

品牌：
ST/意法
型号：
STD11NM60N
封装：
TO-252
批号：
17+
FET类型：
N沟道
漏源电压（Vdss）：
600V
漏极电流(Id)：
10A（Tc）
漏源导通电阻(RDS On)：
10V
栅源电压(Vgs)：
±25V
栅极电荷(Qg)：
30nC @ 10V
反向恢复时间：
25
耗散功率：
90W（Tc）

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