手机电池MOS管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2:场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量。场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

 

　　场效应管具有如下特点。
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；
　　（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107~1012Ω）很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
　　（5）场效应管的抗辐射能力强；
　　（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

　　使用优势
　　场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

 

　　MOSFET的电路符号
　　常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
　　由于积体电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为n-type或是p-type的MOSFET.箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为p-type的MOSFET,或简称PMOS（代表此元件的通道为p-type）；反之若箭头从基极指向通道，则代表基极为p-type,而通道为n-type,此元件为n-type的MOSFET,简称NMOS.在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在积体电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极（common bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。

 

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