LED显示屏MOS管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2:场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量。场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

　　场效应管具有如下特点。
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；
　　（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107~1012Ω）很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
　　（5）场效应管的抗辐射能力强；
　　（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

　　使用优势
　　场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

　　场效应管与双极性晶体管的比较
　　场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。
　　场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。
　　场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。
　　场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅--源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

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