MBR20200CT
苏州固锝GOOD-ARK
ITO-220AB
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
20A
200V
电话：4008586100
SS26T3G
ON（安森美）
SMB
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
表面贴装肖特基功率整流器SMB功率表面贴装封装。 。 。采用肖特基原理在金属 - 硅功率整流器。特点外延建设与氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适用于低电压，高高频开关电源;续流二...
电话：027-87777066
手机：18571113827
LBAT54CLT1G
NXP（恩智浦）
SOP
无铅*型
贴片式
散装
产品详细说明 型号/规格 LBAT54CLT1G 品牌/商标 LRC 封装形式 SOT-23 *类别 无铅*型 安装方式 贴片式 包装方式 卷带编带包装 整流电流 A 反向电压 V VR(V):30 IF(mA):200 * Max(pf)：...
电话：027-87164366
先科
1N6263WT
贴片型
小功率
低频
产品类型 肖特基管 品牌/商标 先科 型号/规格 1N6263WT 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 双色 LED封装 无色透...
电话：027-82755189
否
肖特基管
否
LITEON/光宝
B240A
锗(Ge)
武汉科芯源电子有限责任公司,是集工 商 贸科研于一体的综合性电子公司。主要代理和销售的产品有：一 OMRON欧姆龙 松下 *兴 台湾欣大 浙江亚洲龙 固*各类继电器。 二 代理经销世界知名...
电话：027-87865582
否
肖特基管
否
武整 TECHELE
MURP100A
UPS,高频电焊机，高频电镀电源
型号T*e正向平均电流正向平均电压反向重复峰值电压反向重复峰值电流结壳热阻反向恢复时间IF(*)VFMVRRMIRRMRjcTrr *VmA℃/WnsMURP100A100≤1.125~200≤2&...
电话：4006-020201
*R30050
M
塑料封装
普通型
模块
散装
*功率
*频
供应*R系列肖特基二*管 特基二*管 F5KQ100 F5KQ100 肖特基二*管 30CPQ140 30CPQ140 肖特基二*管 30CPQ100 30CPQ100 肖特基二*管 30CPQ090 30CPQ090 肖特基二*管 30CPQ060 30CPQ060 肖...
电话：027-51854223
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN 肖特基（MPS）结构...
半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。 这款新推出...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，...
“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)...
据该公司介绍，在这个名为TRSxxx65H的系列中，采用了一种新的肖特基金属，并且与第二代相比，改变了结势垒结构以降低电场，从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12A 之间的版本可供选择，其中七个采用 TO-220-2L 封装，五个采用表面贴装 DFN8×8 封装...
在射频电路中，射频检波器主要是对射频信号进行检测并以特定方式对其进行测量和转换。按照分类，射频检波器有峰值检波器（peak detectors）、对数放大检波器（log amp detectors）、RMS检波器等；而二极管检波器是一种峰值检波器。今天我们认识零偏置肖特基二...
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物理极限。 本节简要介绍了所用芯片的技术...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些必须考虑的优点： 由于正向压降的显着正...
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般...
肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管是用钼、金、银等贵金属为阳极，用N型半导体材料为阴极，...
