CER-DIP/陶瓷直插
IRLML2502TRPBF
N-FET硅N沟道
L/功率放大
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市福田区弘旻电子经营部
类型:生产企业
电话:
手机:15999521008
联系人:陈汉雄
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北中航路都会轩
标准包装:3,000
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏*至源*电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:4.2A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(*大):1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:740pF @ 15V
功率 - *大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
包装:带卷 (TR)
其它名称:IRLML2502PBFTR
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司