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TSA20N50M

TSA20N50M
TSA20N50M
  • 型号/规格:

    TSA20N50M

  • 品牌/商标:

    信安

  • 封装形式:

    其它

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

普通会员
  • 企业名:深圳市德芯电子有限公司

    类型:生产制造商

    电话: 0755-82811678
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    手机:

    联系人:陈小姐/陈小姐

    QQ: QQ:2851071001QQ:2851071000

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    地址:广东深圳福田区华强电子世界10C006

商品信息

  TSA20N50M产品信息:


  品牌:信安


  型号:TSA20N50


  种类:绝缘栅(MOSFET)


  沟道类型:N沟道


  导电方式:耗尽型


  用途:SW-REG/开关电源


  封装外形:P-DIT/塑料双列直插


  材料:N-FET硅N沟道


  产品分类:


  场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。


  按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。


  场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。


  结型场效应管(JFET)


  1、结型场效应管的分类:结型场效应管有两种结构形式,它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。


  结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极。


  电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。


  2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制元件。


  绝缘栅场效应管


  1、绝缘栅场效应管(MOS管)的分类:绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。


  2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属-氧化物-半导体场效应管,简称MOS场效应管。


  3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控制"感应电荷"的多少,以改变由这些"感应电荷"形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID.当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。


  场效应管的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。


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