贴片场效应管 MOS管 SI2301 SI2302 SI2305 SI2307 SI2316

品牌/型号：
VISHAY威世/SI2301 SI2302 SI2305 SI2307 SI2316
种类：
*缘栅MOSFET
用途：
MOS-ARR/陈列组件
封装外形：
SMDSO/表面封装
材料：
P-FET硅P沟道
沟道类型：
P沟道
导电方式：
耗尽型

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产品分类

电源IC(1)
∟ 稳压IC(1)
二极管(28)
∟ 稳压二极管(6)∟ 开关二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(4)∟ 瞬态(变)抑制二极管(3)∟ 肖特基二极管(3)∟ 其他二极管(3)
三极管(19)
∟ 功率三极管(4)∟ 低噪声三极管(8)∟ 高反压三极管(1)
场效应管MOSFET(3)
∟ MOSFET(1)
电容器(49)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(5)∟ 铝电解电容(1)∟ 瓷片(瓷介)电容(18)∟ 陶瓷电容(2)∟ 独石(层积)电容(1)∟ 其他电容(15)
电阻器(51)
∟ 贴片/片式电阻(10)∟ 线绕电阻(4)∟ 热敏电阻(1)∟ 其他电阻(36)
电感器(35)
∟ 贴片电感(7)∟ 功率电感(1)∟ 扼流线圈电感(10)∟ EMI滤波器(15)∟ 其他电感器(1)
电位器(4)
石英晶体器件(3)
∟ 贴片晶振(1)
声表面器件(1)
∟ 声表面谐振器(1)
压电陶瓷元件(3)
∟ 陶瓷滤波器(3)
保险丝(1)

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商品信息

SI2301DS-T1-* SOTPCS/盘

20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET    20V P 沟道增强型 MOS 管

VDS= -20V
RDS(ON),,= 85mΩ
RDS(ON),,= 110mΩ

Features   特性
Advanced trench process technology   的*技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance *低的导通电阻高密度的单元设计

：

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