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5HN02M-TL/*速开关/N沟道 增强型 场效应管MOS/SOT-323/SANYO

5HN02M-TL/*速开关/N沟道 增强型 场效应管MOS/SOT-323/SANYO
5HN02M-TL/*速开关/N沟道 增强型 场效应管MOS/SOT-323/SANYO
  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    5HN02M-TL

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    SANYO/三洋

  • 用途:

    S/开关

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 漏*电流ID:

    0.2A

  • 源漏电压VDSS:

    50V

  • 耗散功率PD:

    0.15W

  • 应用范围:

    放大

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商品信息

【产品展示图】





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【产品参数】



 



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