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G3VM-61BR/ER

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  • 企业名:武汉科芯源电子有限责任公司

    类型:经销商

    电话: 027-87865582

    联系人:李三祥

    地址:湖北武汉武汉市洪山区华中电子市场 3158号/722研究所创业园1108-1110

产品分类
商品信息

 *适合应用于模拟信号开关的高电容(2.5A)新型MOS FET继电器可适用于微小模拟信号的开关。低导通电阻(0.1Ω*大)。连续负载电流2.5A种类:接点结构端子种类负载电压型号1a印刷电路板用端子AC60V峰值G3VM-61BR表面安装端子G3VM-61ERG3VM-61ER(TR)额定值|性能:·*对*大额定(Ta =25℃)
项目*号额定单位条件输入侧LED正向电流IF30mA 反复峰值LED正向电流IFP1A100µs脉冲、100pps直流正向电流降低比率△IF/℃-0.3mA/℃Ta 25℃LED反向电流VR5V 粘合部位温度TJ125℃ 输出侧输出耐压VOFF60V 连续负载电流IO2500mA 导通电流降低比率△ION/℃-22mA/℃Ta 25℃粘合部位温度TJ125℃ 输入输出间耐压(注1)VI-O2500VrmsAC持续1分钟使用环境温度Ta-20~ 85℃不结冰、凝露贮藏温度Tstg-40~ 125℃不结冰、凝露焊接温度条件—260℃10s(注1): 测量输入输出间的耐压时,分别对LED 针脚、受光侧针脚统一地施加电压。·电气性能(Ta=25℃)
项目*号*小标准*大单位条件输入侧LED正向电流VF1.181.331.48VIF=10mA反向电流IR——10µ*R=5V端子间电容*—70—pFV=0、f=1MHz触发LED反向电压IFT—1.03mAIO=1A输出侧*大输出导通电阻 —0.0650.1ΩIF=10mA、IO=2A开路时漏电流ILEAK—1.010n*OFF=60V输入输出间电容CI-O—0.8—pFf=1MHz、VS=0V输入输出间电容*缘电阻RI-O1000——MΩVI-O=500VDC ROH 60%动作时间tON—1.01.5msIF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)回复时间tOFF—0.20.4ms(注2): 动作· 回复时间   

联系方式

企业名:武汉科芯源电子有限责任公司

类型:经销商

电话: 027-87865582

联系人:李三祥

地址:湖北武汉武汉市洪山区华中电子市场 3158号/722研究所创业园1108-1110

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