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原厂供应高压IGBT单管NCE25G120T 1200V/25A

原厂供应高压IGBT单管NCE25G120T 1200V/25A

原厂供应高压IGBT单管NCE25G120T 1200V/25A

品牌/商标：
NCE
型号/规格：
NCE25G120T
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-HBM/半桥组件
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
IGBT*缘栅比*
开启电压：
4-7（V）
夹断电压：
1200（V）

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普通会员

企业名：无锡新洁能功率半导体有限公司

类型：生产企业

电话： 0510-85627637

手机：15961834960

联系人：顾朋朋

QQ：

邮箱：gupp@ncepower.com

地址：江苏无锡高浪东路999号，国家传感信息中心研发大楼8楼

产品分类

场效应管MOSFET(33)
∟ MOSFET(22)

新品上架

商品信息

产品特征：Trench NPT(非穿通）技术

低Vcesat，低导通损耗

拖尾电流小，更小的开关损耗和更快的开关速度

短路电流能力强，Tsc>10us,可提供给控制电路充足的时间及时关断器件

高Eas能力

更强的*闩锁能力

*强的*冲击能力

易并联使用

产品应用：感应加热，微波炉，电磁炉，逆变器，UPS,变频器等

软开关应用

Vds=1200V；Id=25A；

封装：TO-247

"

联系方式

企业名：无锡新洁能功率半导体有限公司

类型：生产企业

电话： 0510-85627637

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