产品技术参数

  典型关断延迟时间                          45 ns
 典型接通延迟时间                          15 ns
 典型栅极电荷@Vgs                        58 nC V @ 10
 典型输入电容值@Vds                    760 pF V @ 25
 安装类型                                          通孔
 封装类型                                          TO-220AB
 引脚数目                                          3
 工作温度                                  -55 °C
 功率耗散                                  79 W
 栅源电压                                  ±20 V
 漏源电压                                  100 V
 漏源电阻值                              0.2 Ω
 连续漏极电流                          14 A
 工作温度                                    175 °C
 每片芯片元件数目                           1
 类别                                                   功率 MOSFET
 通道模式                                           增强
 通道类型                                           P
 配置                                                   单
 高度                                                   8.77mm

      深圳欧科信科技有限公司
主营：场效应管MOS管,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特基二极管,SMD元件

  台湾 韩国，国内生产的高压MOS管在电源领域已得到广大客户的认可,
可直接替代IR/国际整流器 // FUJI/富士 // HOMSEMI/宏矽
 // FAIRCHILD/仙童 // UTC/台湾友顺 // ST/意法半导体等品牌的MOS管. 
我们公司优势在于：
 1、原装产品，质量有保证，备货快，大量现货，可深圳含税或不含税供应。
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2N60 TO-220F /TO-252   
4N60  TO-252  
4N60 TO-220F 
10N60  TO-220F  /TO-252   
12N60 TO-220F  /TO-252   
50N06 TO-220F /TO-252
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 欧科信科技/陈先生
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