ST/意法
MJE2955T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
1(V)
1(V)
1(μS)
1(pF)
企业名:深圳市智美芯科技有限公司
类型:生产企业
电话: 0755-23112380
联系人:唐艳
邮箱:alice_tany@126.com
地址:广东深圳深圳宝安区
晶体管*性:PNP电压, Vceo:60V截止频率 ft, 典型值:2MHz功耗, Pd:75W集电*直流电流:10A直流电流增益 hFE:400封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)功耗:75W封装类型:TO-220总功率, Ptot:75W晶体管数:1晶体管类型:通用电源*大连续电流, Ic:10A*小增益带宽 ft:2MHz满功率温度:25 ° C电压, Vcbo:70V电流, Ic hFE:4A电流, Ic *大:10A直流电流增益 hfe, *小值:20表面安装器件:通孔安装饱和电压, Vce sat *大:-1.1V
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司