FORTUNE/台湾富晶
FS8205A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
1(V)
1(V)
1(μS)
1(pF)
企业名:深圳市智美芯科技有限公司
类型:生产企业
电话: 0755-23112380
联系人:唐艳
邮箱:alice_tany@126.com
地址:广东深圳深圳宝安区
FS8205A 是双路增强型的N沟道MOSFET。连续电流可达5A. 耐压可达20V。据有低漏电流,低导通电阻等特点。FS8205A典型导通内阻小。为小型TSSOP8/TSOP6封装,内部两管的D级已连通在一起,方便应用。
封装:TSSOP-8, TSOP-6。
特征:
GS间电压:&plu*n;12V
GS间漏电流:<100nA
低导通电阻:<30mR @2.5v
DS间耐压:20V
DS间漏电流:<1uA
控制启动电压:典型0.7v
DS连续电流:可达5A
内部二级管压降:<1.2V
应用:
DC-DC转换器
锂电池保护板
MP3,MP4,GPS
移动电源
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司