CER-DIP/陶瓷直插
IRFL110TRPBF
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
Vishay/威世通
MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
耗尽型
企业名：深圳市昊天晟科技有限公司
类型：经销商
电话：
手机：13534091654
联系人：赖燕君
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路东侧都会100大厦银都25Ｉ
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.5A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| 功率 - | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 包装 | 标准包装 |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
