STW3N150
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
ST/意法
MOSFET N 通道，金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名：深圳市昊天晟科技有限公司
类型：经销商
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手机：13534091654
联系人：赖燕君
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路东侧都会100大厦银都25Ｉ
| 典型关断延迟时间 | 45 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 24 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29.3 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 939 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 功率耗散 | 140 W | |
| 栅源电压 | ±30 V | |
| 漏源电压 | 1500 V | |
| 漏源电阻值 | 9 Ω | |
| 连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 工作温度 | 150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 高度 | 20.15mm |
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