20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET    20V 双 N沟道增强型 MOS 管
 
VDS= 20V   ID= 6.5A                        *D Protected : 2000V
RDS(ON),,= 32m?
RDS(ON),,= 24m?
Features  特性
Advanced trench process technology  的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance   
Specially Designed for Li ion battery packs use
Designed for battery switch applications
Battery Swicth, *D protected
*低的导通电阻高密度的单元设计、专为锂电池设计、静电保护.

*的电子元器件供应商

原装，常备现货，量大从优！

公司坚持以“质量*、价格优惠”的经营理念向客户所提供*的优质服务，已*了广大客户的信赖和支持。

胡先生：   :

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本公司主营系列低压MOS管及IC

2300  2301  2302  2305   2306   2307  2312  3400   3401  3407

4953   9435     4410    4435    4407    9926   4501  4503  4606 4946

45N03   85N03   DW01  8205A  8205S 

KP1500-ADJ  KP1504-ADJ  KP1510-ADJ   KP1512-ADJ

型号繁多，未能尽录。更多的产品欢迎来电垂询！

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