TOSHIBA/东芝
2sk2350
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
M*金属半导体
1（V）
1（V）
1（μS）
1（pF）
类型：经销商
电话：
联系人：顾丽晴
地址：上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
∟ 结型场效应管(14)
| 部件型号 | 2SK2350 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 200 V | |
| 漏电流ID | 8.5 A | |
| 漏功耗PD | 30 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 17 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.4 Ω | |
| 封装 | TO-220NIS | |
| 管脚数 | 3 | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 150V<VDSS≦250V) |
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