NCE 新洁能
NCE20N50T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
2.5-3.5（V）
大于500（V）
2300（pF）
类型：生产企业
电话：
联系人：王敏
地址：江苏无锡中国 江苏 无锡市滨湖区 无锡市高浪东路999号启航大厦8楼无锡(滨湖）国家传感信息中心
∟ 结型场效应管(6)
产品特征：卓越的功率转换效率
*低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻（Ron*A）
*低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOM（Ron*Qg)
卓越的Eas能力（100?s测试）
产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗
适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄
照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率
消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更*效
Vds=500V；Id=20A ； RDS(ON)<190mΩ @Vgs=10V (T*:155mΩ)
注：@在…的条件下 封装：NCE20N50T为TO-247
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
