参数
配置  （半桥)
输入类型  (非反相)
延迟时间  (220ns)
电流 - 峰值  (60mA)
配置数   (1)
输出数   (2)
高压侧电压 - *大值（自举）  (600V)
电压 - 电源  (10 V ~ 20 V)
工作温度 (-40°C ~ 125°C)

特点
浮动通道设计为引导操作
*运作，以 600 V
耐负瞬态电压
dV / dt的免疫
从5至20V的栅*驱动电压范围
两个通道欠压锁定
3.3V，5V和15V输入逻辑兼容
跨导*逻辑
两个通道的匹配传播延迟
相高侧输出和IN输入
逻辑与电源地 / - 5V的偏移量。
内部540ns*区时间
为更好的噪声下的di / dt栅*驱动器
免疫
关闭输入关闭两个通道
8引脚SOIC也可用LEAD-FREE（PBF）。

描述
IR2302（S）高电压，*
功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖
凹痕高和低侧参考输出
渠道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片结构。
逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器
具有高脉冲电流缓冲级，可将驱动器跨导降至。浮动通道可
可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营
600伏。

封装图片展示

企业名：结型场效应管 深圳四海联创电子科技有限公司

类型：经销商

电话：

手机：13510200925

联系人：柯创林

地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北中航路高科德电子商场61823室