新年份2012+深圳公司现货*童品牌双N沟道MOS管FDS6982S场效应管

材料：
N-FET硅N沟道
种类：
结型(JFET)
型号/规格：
FDS6982S
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
用途：
S/开关
沟道类型：
2 个 N 沟道（双）、2 个 N 沟道（双）
导电方式：
增强型
功率 - ：
900mW
电压：
30V
电流：
6.3A，8.6A

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产品分类

场效应管MOSFET(4)
∟ 结型场效应管(3)

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商品信息 更新时间：2012-12-17

概述
FDS6982S的目的是取代两个单一的SO-8
MOSFET和肖特基二*管同步DC：DC
提供各种外设电压的电源供应器，
为笔记本电脑和其它电池供电的
电子设备。FDS6982S包含两个*
30V，N沟道逻辑电平，PowerTrench MOSFET的
旨在*大限度地*功率转换效率。
高侧开关（Q1）与特定的设计
强调降低开关损耗，而低
边开关（Q2）进行了优化，以减少传导
的损失。Q2也包括集成肖特基二*管
采用飞兆半导体单片SyncFET技术。

特点
Q2：优化，以*大限度地减少传导损耗
包括SyncFET体二*管肖特基
8.6A，30VRDS（上）
=0.016Ω@VGS = 10V
RDS（上）
=0.021Ω@ VGS = 4.5V
Q1：低开关损耗进行了优化
低栅*电荷（8.5nC典型）
6.3A，30VRDS（上）
=0.028Ω@VGS = 10V
RDS（上）
=0.035Ω@ VGS = 4.5V

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