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IRFP460 irfp460驱动电路 TO-*

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  • 材料:

    M*金属半导体

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅MOSFET

  • 导电方式:

    增强型

  • 属性:

    属性值

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区博大电子经营部

    类型:经销商

    电话:

    手机:13713855989

    联系人:陈镇城

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北高科德电子市场63831室

商品信息

类别:分离式半导体产品

 

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

 

系列:MegaMOS™

 

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

 

FET 特点:标准型

 

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 12A, 10V

 

漏*至源*电压(Vdss):500V

 

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:20A

 

Id 时的 Vgs(th)(*大):4V @ 250µA

 

闸电荷(Qg) @ Vgs:210nC @ 10V

 

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4200pF @ 25V

 

功率 - *大:260W

 

安装类型:通孔

 

封装/外壳:TO-247AD

 

包装:管件

 

其它名称:IRFP460IX

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联系方式

企业名:深圳市福田区博大电子经营部

类型:经销商

电话:

手机:13713855989

联系人:陈镇城

地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北高科德电子市场63831室

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