福斯特FIR75N075规格：

　　种类：绝缘栅（MOSFET）

　　沟道类型：N沟道

　　导电方式：增强型

　　材料：N-FET硅N沟道

　　用途：D/变频换流

　　开启电压：75（V）

　　夹断电压：75（V）

　　跨导：75（μS）

　　极间电容：564（pF）

　　低频噪声系数：1（dB）

　　最大漏极电流：4521（mA）

　　最大耗散功率：765（mW）

　　各种常见的MOSFET技术

　　●双栅极MOSFET

　　双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency, RF）积体电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。

　　●空乏式MOSFET

　　一般而言，空乏式（depletion mode）MOSFET比前述的加强式（enhancement mode）MOSFET少见。空乏式MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压。空乏式MOSFET最大的应用是在"常关型"（normally-off）的开关，而相对的，加强式MOSFET则用在"常开型"（normally-on）的开关上。

　　●NMOS逻辑

　　同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小，因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小，却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率，因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场。

　　●功率MOSFET

　　功率晶体管单元的截面图。通常一个市售的功率晶体管都包含了数千个这样的单元。主条目：功率晶体管

　　功率MOSFET和前述的MOSFET元件在结构上就有着显着的差异。一般积体电路里的MOSFET都是平面式（planar）的结构，晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的结构，让元件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率MOSFET能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-type磊晶层（epitaxial layer）厚度的函数，而能通过的电流则和元件的通道宽度有关，通道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的MOSFET而言，能承受的电流以及崩溃电压的多寡都和其通道的长宽大小有关。对垂直结构的MOSFET来说，元件的面积和其能容纳的电流成大约成正比，磊晶层厚度则和其崩溃电压成正比。   值得一提的是采用平面式结构的功率MOSFET也并非不存在，这类元件主要用在高级的音响放大器中。平面式的功率MOSFET在饱和区的特性比垂直结构的对手更好。垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用，取其导通电阻（turn-on resistance）非常小的优点。

　　● DMOS

　　DMOS是双重扩散MOSFET（double-Diffused MOSFET）的缩写，它主要用于高压，属于高压MOS管范畴。

企业名：深圳市凌云微科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-83592325

手机：15818510774

联系人：钟丽莎

QQ：

邮箱：sales3@lanoshk.com

地址：广东深圳福田区车公庙天安数码城创新科技广场一期A座1706