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2N60 MOS管,TO-220封装2N60 MOS管

供应2N60 MOS管,TO-220封装2N60 MOS管
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  • 型号/规格:

    2N60

  • 品牌/商标:

    美国FIRST

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

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  • 企业名:深圳市凌云微科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

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    联系人:钟丽莎

    QQ: QQ:2355873790

    邮箱:sales3@lanoshk.com

    地址:广东深圳福田区车公庙天安数码城创新科技广场一期A座1706

商品信息

  场效应管(MOS管)工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

  在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。


  凌云国际股份有限公司成立於2000年,总部位於香港,是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、苏州、山东、重庆、福建等地设有办事处,专注於为世界500强等电子企业提供优势的电子元件代理分销服务,并成为全球众多知名客户的首选合作夥伴。

  我们不仅致力从事半导体代理分销业务,亦为半导体客户提供专业的方案设计和技术支持,以满足客户各项独特的需求,强化客户在市场竞争中的优势。

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