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国产场效应管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    15N10

  • 品牌/商标:

    GOFORD

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    AO3414

  • 品牌/商标:

    HC/浩畅

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    FNK75H14

  • 品牌/商标:

    FNK

  • 封装形式:

    TO-220-3L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    FQPF7N60C

  • 品牌/商标:

    国产

  • 环保类别:

    普通型

  • 品牌/商标:

    国产IR

  • 型号/规格:

    IRF540

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    11N90C FQA11N90C 11N90

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

    品牌:国产 型号:5N60 8N60 10N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:600(V) 跨导:10(μ...

    • 批号:

      0921+

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 类型:

      其他IC

    • 型号/规格:

      FQPF10N60C

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 品牌/商标:

      FREESCALE/飞思卡尔

    • 用途:

      S/开关

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