您好,欢迎来到捷配电子市场网 登录 | 免费注册
您现在的位置:首页 > 元器件(最新) >

MOS

(共找到“3292”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
1/100 跳至 下一页
  • 型号/规格:

    MBR30100PT

  • 品牌/商标:

    GOOD-ARK

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    PT8205

  • 品牌/商标:

    中光

产品信息:类型:其他IC 品牌:GOOD-ARK 型号:PT8205主要参数1.开启电压VT·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通...

  • 典型接通延迟时间:

    17 nS

  • 典型关闭延迟时间:

    94 nS

  • 晶体管类型:

    1 N-Channel

  • 上升时间:

    9 nS

  • 产品:

    MOSFET Small Signal

  • Pd-功率耗散::

    2 W

  • 型号/规格:

    G1003A

  • 品牌/商标:

    GOFORD

  • 封装形式:

    SOT-23-3L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    PN8136

  • 品牌/商标:

    CHIPOWN

  • 类型:

    电源管理IC

  • 功率:

    12W

  • 封装:

    DIP-7

  • 特色服务:

    保证原装,可提供成熟方案及后续技术支持

  • 批号:

    17+

  • 型号/规格:

    SI51 PLUS

  • 品牌/商标:

    Philips/飞利浦

  • 触发方式:

    边沿触发器

  • 电路结构:

    基本RS触发器

  • 存储数据原理:

    动态触发器

  • 基本器件:

    MOS型触发器

    型号 HY3810B 品牌 HOOYI 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 SB肖特基势垒栅 品牌HY 型号HY3906B 种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式...

    • 型号/规格:

      IXDN602SIATR/SOP-8

    • 品牌/商标:

      IXYS

    IXDN602SIATR 2路2A双低侧高速同相MOS驱动器。 标准包装2,000 类别集成电路 (IC) 家庭 配置低端 输入类型非反相 延迟时间35ns 电流 - 峰2A 配置数2输出数 电源电压4.5 V ~ 35 V 工作温度-40°C ~ 125°C 安...

    • 型号/规格:

      CE6200A33M

    • 品牌/商标:

      国产

    • 封装形式:

      SOT-23

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      贴片式

    • 包装方式:

      卷带编带包装

    • 型号/规格:

      NCP3418ADR2G

    • 品牌/商标:

      ON安森美

    制造商:ON Semiconductor;产品种类:MOSFET 及电源驱动器 IC;RoHS:是;类型:High Side/Low Side;电源电压(最小值):4.6 V;电源电流:6 mA;最大工作温度:+ 85 C;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:SOIC-8;封装:Reel;最小工...

    • 种类:

      STP190N55LF3

    • 品牌:

      ST

    • 参数:

      MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

    • 封装:

      TO-220

    • 品牌:

      Vishay/威世通

    • 型号:

      SI4401DY

    • 数量:

      25008

    • 批号:

      16+

    • 价格:

      电议

    • 型号:

      IS24C64B-2ZLI-TR

    • 品牌:

      ISSI

    • 批号:

      08+

    • 封装:

      MOSP/8

    • 包装:

      盘装

    • 描述:

      进口原装无铅

    • 型号/规格:

      NCE65T540

    • 品牌/商标:

      NCE

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 封装:

      TO-220

    • 型号/规格:

      2N7002KT/R

    • 品牌/商标:

      PANJIT

    • 封装形式:

      SOT-23

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      贴片式

    • 包装方式:

      卷带编带包装

    • 型号/规格:

      YC9435

    • 品牌/商标:

      YC

    • 批号:

      全新原装

    • 封装:

      原装正品

    • 型号/规格:

      XZ6313

    • 品牌/商标:

      KOCE

    • 封装:

      SOT

    • 批号:

      全新原装

    • 型号/规格:

      AO3401

    • 品牌/商标:

      ALPHA

    • 封装形式:

      SOT-23

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      贴片式

    • 包装方式:

      卷带编带包装

    • 型号/规格:

      AO3401/3402/3407

    • 品牌/商标:

      ALPHA/AOS

    • 封装形式:

      SOT-23

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      贴片式

    • 包装方式:

      盒带编带包装

    • 功率特征:

      中功率

    • 型号/规格:

      210N10

    • 品牌/商标:

      HL

    • 封装形式:

      TO-3P

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      散装

    • 功率特性:

      超大功率

    • 频率特性:

      高频

    MOS行业资讯

    • 快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

      亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极...

    • 快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器,提供 100% 占空比能力

      亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器,该用高达 60V 的电源电压运行。其内部泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的1Ω能够以非常...

    • 组件价格下降/可靠度大增 碳化硅MOSFET商用迈大步

      绝缘栅双极晶体管(IGBT),这种颠覆性的功率晶体管在20世纪80年代早期实现商业化,对电力电子行业产生了巨大的积极影响,它实现了创新的转换器设计、提高了系统效率和全球节能。事实上,有估计显示,IGBT在过去25年中帮助避免了75万亿磅的二氧化碳排放[1]。正如20世纪80年代革命性的IGBT技术...

    MOS技术资料

    • MOS管为什么会被静电击穿

      MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧...

    • 一篇文章读懂超级结MOSFET的优势

      平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻,并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷,这会增加开关损耗和成本。另外还存在...

    • 三分钟读懂超级结MOSFET

      基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少的栅极和和输出电荷,这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前,高压器件的主要设计平台是基于平面技术。这个时候,有心急的网友就该问了,超级结究竟是何种技...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

    在采购MOS进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

    免责声明:以上所展示的MOS信息由会员自行提供,MOS内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。捷配网不承担任何责任。

    友情提醒:为规避购买MOS产品风险,建议您在购买MOS相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。