IRF7319TRPBF
INFINEON(英飞凌)
无铅环保型
Reel
22+
手机:18653422656
是
JDL
STC-10
载带编带机
SMD晶体谐振器,电子连接器
物品包装
SMD晶体谐振器,电子连接器
带
手机:
其他IC
韩国信安
TSF8N60
VA/场输出级
TO-220
1
CER-DIP/陶瓷直插
1
手机:
XP-329iiiR
日本新宇宙
XP-329ⅢR 便携式气味传感器*: 气味的强弱,检测时能以数字即刻显示。 具备数字存贮功能,可将测定值取出输入电脑。 “水平”和“臭气指数(相当值)”可进行切换。 以条形图的形式告知维护时间。 XP-329ⅢR 便携式气...
电话:0532-859982828
手机:15554249616
IR/国际整流器
IRF1010E
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
CC/恒流
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
手机:
是
QWD
WD-40
散热片
电子
小型
*电压
插片式
电话:86 0531 55536158
手机:13708937666
TRIN*
TMA9N90
品牌/商标 TRIN* 型号/规格 TMA9N90 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CC/恒流 9A 900V MOSFET 可替代AUK(SMK0990CI) Rds(on)=1.13欧姆 TO-*封装 价格根据购买数量商榷。
电话:86 0532 83080679
通信IC
ALLEGRO
A8426
3-lead SOT
11+(* 无铅)
单*型
----
混合集成
电话:0531-81880345
Truesemi
TSP8N60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:0531-81607933
品牌:理研 型号:XP-329ⅢR 种类:气敏 材料:金属 材料物理性质:半导体 材料晶体结构:非晶 制作工艺:集成 输出信号:数字型 *护等级:1 线性度:1(%F.S.) 迟滞:1(%F.S.) 重复性:1(%F.S.) 灵敏度:1 漂移:1 分辨率:1...
电话:0532-80686730
SMD(SO)/表面封装
4N60
N-FET硅N沟道
仙童
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:86053283024135
手机:13854299102
长光辰芯发布1600万像素分辨率全局快门CMOS图像传感器 — GMAX4416。该产品不仅继承了GMAX系列产品的低噪声、优异的PLS等特性,同时增加了片上binning、HDR等新的功能,进一步拓宽了GMAX系列产品在运动捕捉、航空测绘、AOI 检测等领域应用,为用户提供更多的...
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...