WINSOK微硕
WST4041
SOT-23-3L
2018
P-Ch MOSFET
-40V
-6A
30mΩ
电话:0571-85317607
手机:13346194159
IR/国际整流器
IRFB4410
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机:13858149001
IR/国际整流器
IRF840
TO-220
结型(JFET)
N沟道
手机:
SL
SVD830
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...
手机:
IR/国际整流器
IRF730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机:13666606114
SILAN/士兰微
SVF12N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
FQPF50N06 FQPF70N06 FQPF85N06 FQPF75N75 FQPF75N08 FQPF630FQPF630 FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF13N50 FQPF20N50 FQPF1N60 FQPF2N60 FQP...
电话:86 0571 81953268
手机:13575732320
ST/意法
STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0571-88009842
电话:86 571 88009256
手机:13805746642
FAIRCHILD/*童
IRF740N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:86 0571 88009135
矽利康
SSF6808
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0571-81959128
电话:0571-88256507
是
杰发
3W
-
通用
氧化膜
普通线绕
圆柱形
电话:0571-88009030
NCE
NCE7580
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
P-FET硅P沟道
电话:571-88009772
品牌:IR 型号:IRFP150N 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:100(V) 低频跨导:1(μS) *间电容:145(pF)供原装*IRFP150N,本公司真...
电话:571-86092636
类型:直插 品牌:OC我公司是生产大功率三*管(3DD系列、2SA、2SC、MJ)、场效应管、*声波用晶体管(BU系列)、开关三*管、快恢复二*管等元器件的。大功率三*管:3DD5686 3DF50C 3DF50G 2SC5200 2SA1943 2SC1142 2SC14...
电话:0571-63342995
silan
SVF10N65F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:571-87550591
品牌:晟康(SK) 型号:IRF640 封装形式:TO-220 T0-220F 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 夹断电压:200(V) 饱和漏*电流:18(mA) 营销方式:* 杭州晟康科技有限公司生产三*管(大功率)、场效应...
电话:0571-89922896
长光辰芯发布1600万像素分辨率全局快门CMOS图像传感器 — GMAX4416。该产品不仅继承了GMAX系列产品的低噪声、优异的PLS等特性,同时增加了片上binning、HDR等新的功能,进一步拓宽了GMAX系列产品在运动捕捉、航空测绘、AOI 检测等领域应用,为用户提供更多的...
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...