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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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N531 驱动能力强 三*管 MOS管
N531 驱动能力强 三*管 MOS管
  • 品牌/商标：

    新诚

  • 型号/规格：

    N531

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V/前置(输入级)

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

IR原装MOS管IRFZ24VPBF;IRFZ44S;IRFZ46N;IRFZ34N;IRF95
IR原装MOS管IRFZ24VPBF;IRFZ44S;IRFZ46N;IRFZ34N;IRF95
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFZ24VPBF

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    TR/激励、驱动

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

2SK-10S1B原装TOSHIBA东芝品牌MOS管
2SK-10S1B原装TOSHIBA东芝品牌MOS管
  • 品牌：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号：

    2SK-10S1B

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

SUD50N06-09L TO-252原装VISHAY威世品牌MOS管
SUD50N06-09L TO-252原装VISHAY威世品牌MOS管
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    SUD50N06-09L TO-252

  • 应用范围：

    功率

  • 材料：

    锗(Ge)

  • *性：

    N/P型

  • 击穿电压VCBO：

    1（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    1（A）

  • 集电*耗散功率PCM：

    1（W）

IR MOS场效应管功率管
IR MOS场效应管功率管
  • 型号/规格：

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

MOS管8N60
MOS管8N60
  • 品牌/商标：

    台湾芯片

  • 型号/规格：

    8N60

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DUAL/配对管

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

P沟道MOSFET系列增强型功率场效应管 ME2301 IC微盟
P沟道MOSFET系列增强型功率场效应管 ME2301 IC微盟
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    ME微盟

  • 型号/规格：

    ME2301M

  • 封装：

    SOT23-3L

  • 批号：

    09

华瑞CET场效应MOS管 CEP6060R
华瑞CET场效应MOS管 CEP6060R

    品牌:华瑞 型号:CEP6060R 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:逆变器 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 开启电压:60（V） 夹断电压:x（V） 低频跨导:x（μS） *间电容:x（pF） 低频噪声系数...

    批量FQP2N60 高压MOS 管 开关管2N60
    批量FQP2N60 高压MOS 管 开关管2N60
    • 品牌/商标：

      CJ

    • 型号/规格：

      2N60

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    MOS管IR2110；IR2155PBF,PR2161PBF,IR2136S和IR2113STR
    MOS管IR2110；IR2155PBF,PR2161PBF,IR2136S和IR2113STR
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IR2110

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MOS-HBM/半桥组件

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    MOS行业资讯

    MOS技术资料

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    • 采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

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