YD1 6060S
MW
1000mW
1.2V
电话:0592-5712416
YOM3050 YOM3050S6
硅兆光电
300mA
5000v
220Vac/400Vdc
500V
电话:05925231921
手机:18279615857
PJ/普罗强生
50N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:86 597 6633661
PJ/普罗强生
3N50
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:86 597 6633661
驱动IC
PowerMos
D80422
8
SOP-8
电话:86 592 5925389
友顺UTC/4N60
*缘栅MOSFET
MIX/混频
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
0(V)
0(V)
0(μS)
电话:13806075921
PJ/普罗强生
8N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
8.7(μS)
7.5(mA)
手机:
BGS
MOS结型场效应管系列
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
220
DC24
220AC
5A
0.04W
0.4
220
过流
电话:0592-5065512
手机:18950154453
PJ/普罗强生
BF740
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0597-6818887
国产
MOS-P LY5801
结型(JFET)
P沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
电话:0592-5933267
1N60
TR
TO92/TO251
无铅*型
直插式
*条装
*率
电话:0592-6219390
手机:13860116760
型号:XP-314C 测量对象:气体浓度检测仪 测量范围:30(vol%) XP-314C 日本COSMOS|气体浓度检测仪 XP-314C 产品特征: 除能检测可燃气体外,还可检测二氧化碳、氩气、氦气等 *适合检测气柜、球罐、管道等气体置换时的...
电话:0592-3119395
电话:0595-28100092
BGS
BF740
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0591-83891801
电话:0592-5712416
PJ/普罗强生
BF1010
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0597-6861821
G3VM-S5
OMRON/欧?龙
应用范围 功率 品牌 OMRON/欧?龙 型号 G3VM-S5 产品系列 DC240 触点形式 常开型 额定电压 AC/DC24-240(V) if(!properExist){ displayOfferProperties("middlePropertyData", "property...
电话:0591-87278008
手机:15280055254
国产
MOS-N LY5802
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:0592-5933267
长光辰芯发布1600万像素分辨率全局快门CMOS图像传感器 — GMAX4416。该产品不仅继承了GMAX系列产品的低噪声、优异的PLS等特性,同时增加了片上binning、HDR等新的功能,进一步拓宽了GMAX系列产品在运动捕捉、航空测绘、AOI 检测等领域应用,为用户提供更多的...
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...