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MOS

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源头工厂
  • 型号/规格:

    YD1 6060S

  • 品牌/商标:

    MW

  • 功耗:

    1000mW

  • 正向电压:

    1.2V

  • 型号/规格:

    YOM3050 YOM3050S6

  • 品牌/商标:

    硅兆光电

  • 负载电流为:

    300mA

  • 介质耐压:

    5000v

  • 最大工作电压:

    220Vac/400Vdc

  • 击穿电压:

    500V

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    50N06

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    3N50

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 类型:

    驱动IC

  • 品牌/商标:

    PowerMos

  • 型号/规格:

    D80422

  • 针脚数:

    8

  • 封装:

    SOP-8

  • 品牌/型号:

    友顺UTC/4N60

  • 种类:

    *缘栅MOSFET

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    0(V)

  • 夹断电压:

    0(V)

  • 跨导:

    0(μS)

  • 林黎太

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:福建
  • 电话:13806075921

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    8N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 低频跨导:

    8.7(μS)

  • 漏*电流:

    7.5(mA)

  • 品牌:

    BGS

  • 型号:

    MOS结型场效应管系列

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 额定电压:

    220

  • 产品系列:

    DC24

  • 线圈电源:

    220AC

  • 额定电流:

    5A

  • 线圈功率:

    0.04W

  • 触点切换电流:

    0.4

  • 触点切换电压:

    220

  • *护特征:

    过流

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    BF740

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    MOS-P LY5801

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 型号/规格:

    1N60

  • 品牌/商标:

    TR

  • 封装形式:

    TO92/TO251

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    *条装

  • 功率特征:

    *率

    型号:XP-314C 测量对象:气体浓度检测仪 测量范围:30(vol%) XP-314C 日本COSMOS|气体浓度检测仪 XP-314C 产品特征: 除能检测可燃气体外,还可检测二氧化碳、氩气、氦气等 *适合检测气柜、球罐、管道等气体置换时的...

      型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

      • 品牌/商标:

        BGS

      • 型号/规格:

        BF740

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        V-FET/V型槽MOS

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

        品牌:MW 型号:7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

        • 品牌:

          PJ/普罗强生

        • 型号:

          BF1010

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          A/宽频带放大

        • 封装外形:

          CER-DIP/陶瓷直插

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 型号/规格:

          G3VM-S5

        • 品牌/商标:

          OMRON/欧?龙

        应用范围 功率 品牌 OMRON/欧?龙 型号 G3VM-S5 产品系列 DC240 触点形式 常开型 额定电压 AC/DC24-240(V) if(!properExist){ displayOfferProperties("middlePropertyData", "property...

        • 品牌/商标:

          国产

        • 型号/规格:

          MOS-N LY5802

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          S/开关

        • 封装外形:

          CHIP/小型片状

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        MOS行业资讯

        MOS技术资料

        • Excelpoint - 一文了解SiC MOS的应用

          作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...

        • 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

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        • MOS管的四种类型

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