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大功率场效应管

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源头工厂
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  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK2837

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 封装外形:

    TO-220-3 整包

  • 型号/规格:

    FQPF10N60C

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF9640PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2865

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    O/振荡

  • 发货单位:

    汕头科通电子

  • 封装:

    TO-252

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRFP240/IRFP9240

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    1*H60D-100,1*H60-100

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    台湾UTC

  • 型号:

    UTC2N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FGA25N120*童

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    Alpha/阿尔法

  • 型号/规格:

    AOD413

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFP250N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    SENSEFET电流敏感

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    k2847

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    SIT静电感应

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2698

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 开启电压:

    /(V)

  • 夹断电压:

    /(V)

  • 跨导:

    /(μS)

  • 品牌:

    IXY美国电报半导体

  • 型号:

    IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    FQPF4N60C 4N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    D-G双栅四*

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    K60-02A、K1120 、K1487

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    拆机

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    GT50J301

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    IRFB260N

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    SYNCPOWER

  • 型号/规格:

    SPN2304 SPP2305 SPN2308

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF740

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2837

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

大功率场效应管技术资料

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