ZP ZK
贝凯
金属封装
普通型
贴片式
散装
*功率
*频
电话:0577-27860780
手机:13634217166
MDC
昆二晶
普通整流管模块 普通整流管模块(MDC,MDK,MDA,MDX,MD,SKKD) 特点 ※ 芯片与底板电气*缘,2500交流电压 ※ 国际标准封装 ※ 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 ※ 400A以下模块皆为强迫风冷,500A以上模...
电话:0577-62679588
手机:15906775672
东整
KP/KS5-500A
双向
二*
陶瓷封装
螺旋形
普通
小功率
手机:15306771939
控制
上海辽顺
MDC160A-1600V
*
*
*
*
160A
手机:13095772228
-50℃~+150℃(℃)(℃)
3W
2013
硅(Si)
否
2
1A
1000V
手机:18825257273
放大
锦州
7T85
锗
4个一箱
大功率
NPN型
2600.00
手机:
整流管
否
MIC
1N4007
氮(N)
100V
DO -41
-55℃~+150(℃)
电话:0755-23919717
手机:18316445797
1600
150(℃)
ZP800A1800V
硅(Si)
艾维
整流管
否
标准封装
手机:
美国固特 GOLD
MDC90-110A
此款密封性能好,广泛地应用在直流电源、电焊机、直流电机、电池充放电、PWM变频器整流等
半桥
*率
高频
90-250AC(V)(V)
1600(V)(V)
手机:
国产/普通整流管模块MDC55A
宝贝详情本页价格对应规格是: MDC-55A 1200-1600V 52.0元/只; MDA-55A 1200-1600V 52.0元/只; MDK-55A 1200-1600V 52.0元/只; MDX-55A 1200-1600V 52.0元/只;同系列其他规格的是: MDC-55A 1800-2000V 58.0元/只; MDA...
电话:13676571823
US1K(℃)
US1K
MDD
2013+
硅(Si)
否
2
30
手机:
是
锦城
ZP10A
普通工业
二*管(排)
大功率
低频
100-380(V)
手机:
是
丹威
ZP200A
普通工业
二*管(排)
*率
200A(A)
1.8(V)
手机:
105(℃)
1
B140
硅(Si)
MIC
肖特基管
2
否
手机:
是
*
MUR3020PT、MUR3020WT
放大
硅(Si)
NPN型
点接触型
直插 / 贴片
手机:15817922869
整流管
是
MY
MYNK-1
多种
-
-
-
手机:
整流桥、高压硅
是
MIC
*6S
硅(SI)
1
SOP4
111(℃)
手机:
国产
MDC55A1600V
单向
三*
树脂封装
平板形
高频(快速)
带散热片
手机:
是
DELIXI/德力西
S ZK KS KK ZP KP KG M
电镀
二*管(排)
大功率
高频
220(V)
手机:15988732969
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UG...