MMO74-16io6
艾赛斯
标准封装
无铅环保型
螺丝型
盒带编带包装
大功率
电话:051257718939
手机:19951266678
IPB120P04P4-04
INFINEON(英飞凌)
PG-TO263-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
电话:051265564717
手机:13382107513
品牌:IR 产地:美国 型号:IRFZ44V 数量:5000 型号 IRFZ44V 极限电压 60(V) 极限电流 55(A) 材料 硅 全新原装IR (国际整流器公司) MOSFET 60V/55A/TO-220无铅
电话:0512-57560816
APM2300CAC-TRG
茂达ANPEC
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
电话:0512-68029812
手机:13912609409
UF730L/TO-220
UTC
TO-220
普通型
直插式
盒带编带包装
电话:0512-65874200-206
手机:18717750585
IR/国际整流器
IRFP150NPBF
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0512-50111115
手机:13456331233
SemiHow
HFP5N60S
品牌/商标 SemiHow 型号/规格 HFP5N60S 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 各种电源工具
电话:86 0512 89990756
手机:15306260502
FH/风华
12N60 TO-220
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:0512-65580380
ST意法半导体/P75NF75
*缘栅MOSFET
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
0(V)
0(V)
0(μS)
0(pF)
电话:0512-55182189
/
IRFP450pbf
品牌/商标/型号/规格IRFP450pbf种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式耗尽型封装外形CER-DIP/陶瓷直插开启电压/(V) 夹断电压/(V) 跨导/(μS) *间电容/(pF) 低频噪声系数/(dB) 漏*电流/(mA) 耗...
电话:0512-68052656
品牌:NIP日本日电 型号:MRSS22L 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GaAS-FET砷化镓 开启电压:2.5(V) 夹断电压:3.7(V)长期批量销售原装*N...
电话:512-68700225
品牌:NEC、LT、syncpower 型号:多型号 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:AM/调幅 封装外形:CHIP/小型片状 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:视型号定(V) 夹断电压:视型号定(V) 低频跨导:视型号定...
电话:0512-55009651
LBSS138LT1G
LRC
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
电话:0512-65811982-616
手机:13817270684
品牌:IPS 型号:FTP12N06 你好,我是做美国IPS场效应管代理的,代替IRF3205,2807,1010E,840,830,740,730,640,630H和FQP8N60C,FQP5N60C IPS场效应管的质量和IR,Faifchild,ST,Philip,Fuji,Toshiba媲美,...
电话:0512-57560816
手机:13616281628
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析:irf4905产品近一段时间销量较稳定,网上搜索、报价较多,零售价在4.00元,量大价优。irf4905基本参数:封装:TO220品牌:IR闸电荷(Qg)@Vgs:180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss):3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外,对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点:(1)场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。(2)为了
有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。 1.开启电压Ur Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...