您是不是要找: P沟道MOS场效应管 高频场效应管 功率场效应管 IRF730场效应管 P沟道场效应管 7N60场效应管
FAIRCHILD/*童
QFU2N60C
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:15900081824
FAIRCHILD/*童
FQPF5N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
CC/恒流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:15900081824
辉颖
HN4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
2.5(V)
电话:86 0760 22313060
品牌:IR/国际整流器型号:IRFR120N种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型楼宇对讲、雾化器、电源逆变器、无刷电机驱动用MOS管: ST3402 4A/30V SOT23UT3401 -4.2A/30V SOT23UT6402 6.8A/30V SOT23STN...
电话:86 760 88928577
手机:18938744457
国产
MCR100-6
品牌/商标 国产 型号/规格 MCR100-6 控制方式 单向 *数 三* 封装材料 塑料封装 封装外形 其他 关断速度 普通 散热功能 不带散热片 产地:东台市华澳微电子公司型号:MCR100-6东台市华澳微电子公司位于黄海之滨苏中经济...
电话:86 0515 85591298
手机:13905111551
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应,主要有三种类型:金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)、绝缘栅...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...