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场效应管

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场效应管FHF7N65 7A650V 直插TO-220F
场效应管FHF7N65 7A650V 直插TO-220F
  • 型号/规格：

    FHF7N65

  • 品牌/商标：

    飞虹

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装 50个/管

  • 功率特征：

    大功率

【场效应管】MOS管7N60 TO-220F
【场效应管】MOS管7N60 TO-220F
  • 品牌/商标：

    FH

  • 型号/规格：

    7N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

2301场效应管 MOS管 SOT-23-3L
2301场效应管 MOS管 SOT-23-3L
  • 品牌/商标：

    台湾CB

  • 型号/规格：

    CB2301P

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 开启电压：

    -20（V）

  • 夹断电压：

    &plu*n;10（V）

拆机场效应管
拆机场效应管
  • 型号/规格：

    2N60-20N90

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 广州亿兰电子商行

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东广州

    • 电话：020-84287108

    手机：13826088898

*现货场效应管2SK962
*现货场效应管2SK962
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    2SK962

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

  • 类型：

    其他IC

一手货源 场效应管 50N06C TO-220F *
一手货源 场效应管 50N06C TO-220F *
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    50N06

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

IR2111STRPBF IR2111 IR2111S 场效应管 三*管
IR2111STRPBF IR2111 IR2111S 场效应管 三*管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IR2111strpbf

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    HI-REL/高*性

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

TOS东芝 场效应管 K30 TO-92
TOS东芝 场效应管 K30 TO-92

    K30 规格参数：NF-RA/HF,50V,0.0026-0.0065A,0.1W,Nr=0.5dB TO-92封装，原装，*合欧洲ROHS标准，耐压耐温高，介质损耗漏电小，频率特性好。适合科技，电脑，汽车，通信设备，家电等。售前服务：提供样品规格书，运费由客户支付，批量由本公司支付运费。售后服务：如产品质量问题，在不上锡不损坏的情况，包退包换。如有其它...

    贴片 FQD2N60C 600V 1.9A 场效应管 TO-252 2N60
    贴片 FQD2N60C 600V 1.9A 场效应管 TO-252 2N60
    • 品牌/商标：

      AO

    • 型号/规格：

      2N60

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      ZF/中放

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    场效应管：AMS1117CD-ADJ TO-252封装
    场效应管：AMS1117CD-ADJ TO-252封装
    • 品牌：

      AMS美国微系统

    • 型号：

      AMS1117CD-ADJ

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      MIN/微型

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      GE-P-FET锗P沟道

    场效应管 IRG4PC50UD G4PC50UD
    场效应管 IRG4PC50UD G4PC50UD
    • 品牌/商标：

      ADV美国*半导体

    • 型号/规格：

      IRG4PC50UD G4PC50UD

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MOS-HBM/半桥组件

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    • 开启电压：

      1（V）

    场效应管IRF730 价格优势 长期
    场效应管IRF730 价格优势 长期
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRF730

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      AM/调幅

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    优势场效应管4N90/6N80/7N80/10N60 原装*童
    优势场效应管4N90/6N80/7N80/10N60 原装*童
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      FQPF6N80C

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    • 开启电压：

      800（V）

    优势 SI3406 场效应管 MOS
    优势 SI3406 场效应管 MOS
    • 品牌/商标：

      台湾封装，

    • 型号/规格：

      SI3406

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      UNI/一般用途

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    场效应管FQPF10N60C
    场效应管FQPF10N60C
    • 品牌/商标：

      FIARCHILD

    • 型号/规格：

      FQPF10N60C

    • 封装形式：

      TO-220F

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 夹断电压：

      600（V）

    • 饱和漏*电流：

      10（mA）

    场效应管IRF3205PBF
    场效应管IRF3205PBF
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRF3205PBF

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      A/宽频带放大

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    长期 拆机 场效应管 2SJ256
    长期 拆机 场效应管 2SJ256
    • 品牌/商标：

      东芝、富士通等

    • 型号/规格：

      2SJ256

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      S/开关

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料：

      P-FET硅P沟道

    【原装IR公司】场效应管IRF9640 IRF9640PBF IRF9640-E3
    【原装IR公司】场效应管IRF9640 IRF9640PBF IRF9640-E3
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRF9640

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      MAP/匹配对管

    • 封装外形：

      SP/*外形

    • 材料：

      M*金属半导体

    专营场效应管K1516
    专营场效应管K1516
    • 封装形式：

      TO-*

    • 型号/规格：

      K1516

    • 材料：

      硅(Si)

    • 品牌/商标：

      Hitachi/日立

    • 应用范围：

      功率

    • 颜列金

    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东广州

      • 手机：13538763506

    场效应管行业资讯

    什么是场效应管?

    • 　　场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗，较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。

    • 目录

      场效应管

    场效应管技术资料

    • 场效应管原理-场效应管参数怎么看？ 场效应管是做什么用的？

      场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应，主要有三种类型：金属氧化物场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）、绝缘栅...

    • 结型场效应管的工作原理

      为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。　　u下面通过栅-源电压uc和...

    • 结型场效应管的检测

      1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...

    场效应管相关产品

    电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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