P-DIT/塑料双列直插
630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
CANCA
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
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品牌:CANCA 型号:630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型本公司加工(OEM)、销售多种规格、多种型号(MOSFET管、MJE系列产品、BUL...
电话:0768-133767358
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管,这种场效应管应用频率在Ku波段(12-GHzto18-GHz)可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中,在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
型号PTOT(W)ID(A)Rom(Ω)Vds(V)SGSP57915050.7500SGSP57515060.6400TM7N4515071.5450TM5N6015052.5600TM45N15250450.1150TM45N20250450.
MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。 MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。 IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数