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功率场效应管

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源头工厂
  • 漏*电流:

    1

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    2SK3568

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物、MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 批号:

    12

  • 类型:

    其他IC

  • 集电*允许电流ICM:

    110

  • 封装形式:

    直插型

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 截止频率fT:

    50

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 用途:

    报警器

  • 庄奇平

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东东莞
  • 电话:0769-82127809

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    4N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    AP2306GN

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    AP/富鼎

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

什么是功率场效应管?

  •   功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,具有自关断能力,驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于 DC/DC 变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
  • 功率场效应管

功率场效应管技术资料

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