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场效应MOS管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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原装现货锂电保护IC配套场效应MOS管TXY8205-6脚
原装现货锂电保护IC配套场效应MOS管TXY8205-6脚
  • 品牌/商标：

    TXY

  • 型号/规格：

    TXY8205-6

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

AO 场效应MOS管 AON
AO 场效应MOS管 AON
  • 漏*电流：

    7.2A

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    AON5802,双N,DFN 2X5,30V 7.2A/30V 7.2A 2,0.02Ω

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标：

    AO

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 夹断电压：

    12

电子元器件一系列低压大电流贴片场效应MOS管
电子元器件一系列低压大电流贴片场效应MOS管
  • 品牌/商标：

    台产

  • 型号/规格：

    9435SC SI9435A FDS9435A APM9435

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    DUAL/配对管

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

场效应MOS管 NC7SZ32M5X ，NC7SZ04P5X，原装FAIRCHILD
场效应MOS管 NC7SZ32M5X ，NC7SZ04P5X，原装FAIRCHILD
  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    NC7SZ32M5X，NC7SZ04P5X

  • 储存温度：

    -65~150℃

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

  • 用途：

    HA/行输出级

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

原装场效应MOS管IRF3205SPBF
原装场效应MOS管IRF3205SPBF
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF3205SPBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

4N60 场效应MOS管 TO-251 ** 行货
4N60 场效应MOS管 TO-251 ** 行货
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    4N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

100V 100A场效应MOS管 100N10 100N10N TO220F
100V 100A场效应MOS管 100N10 100N10N TO220F
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    100N10 100N10N

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

UTC代理大量现货场效应MOS管2N60 TO-220 台湾友顺专售店
UTC代理大量现货场效应MOS管2N60 TO-220 台湾友顺专售店
  • 品牌/商标：

    UTC/友顺

  • 型号/规格：

    2N60,TO-220

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

P2804ND5G TO-252-5 NIKO-SEM场效应MOS管 原装可售样品
P2804ND5G TO-252-5 NIKO-SEM场效应MOS管 原装可售样品
  • 品牌/商标：

    NIKO-SEM

  • 型号/规格：

    P2804ND5G

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 连晓洲

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 手机：13760163890

STP60NF06场效应MOS管
STP60NF06场效应MOS管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    STP60NF06

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

*原装东芝 IGBT管 场效应MOS管 20J321 GT20J321
*原装东芝 IGBT管 场效应MOS管 20J321 GT20J321
  • 品牌：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号：

    GT20J321

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

*批发ST意法*原装直插场效应MOS管STP75NF75电动车用MOS管
*批发ST意法*原装直插场效应MOS管STP75NF75电动车用MOS管
  • 品牌：

    ST/意法

  • 型号：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

60v耐压5A 场效应MOS管SD2310A
60v耐压5A 场效应MOS管SD2310A
  • 品牌：

    SD

  • 型号：

    SD2310A

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

原装场效应MOS管IRF7306
原装场效应MOS管IRF7306
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF7306

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

电子元器件一系列场效应MOS管AO3401
电子元器件一系列场效应MOS管AO3401
  • 是否提供加工定制：

    是

  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    AO3401 AO3400 AO3402 AO3406 AO3407 SI2301DS SI2301BDS SI2307DS SI2307BDS

  • 应用范围：

    功率

  • 材料：

    硅(Si)

  • *性：

    NPN型

  • 击穿电压VCBO：

    1（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    1（A）

60v耐压5A 场效应MOS管SD2310A
60v耐压5A 场效应MOS管SD2310A
  • 品牌/商标：

    SD

  • 型号/规格：

    SD2310A

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

场效应MOS管FDG311N FDG312N
场效应MOS管FDG311N FDG312N
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FDG311N FDG312N

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

场效应MOS管,IRF9Z24
场效应MOS管,IRF9Z24
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRF3205,IRF3710,IRF1010,IRFZ48,IRFZ46,IRFZ44,IRFZ34,IRFZ24

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

专营场效应MOS管FDS6930A FDS6930
专营场效应MOS管FDS6930A FDS6930
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FDS6930

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    HEMT高电子迁移率

P沟道场效应MOS管 2301 SOT-23
P沟道场效应MOS管 2301 SOT-23
  • 品牌/商标：

    台产

  • 型号/规格：

    MOS管 2301

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

场效应MOS管技术资料

  • 载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

    意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD，可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺，由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列

场效应MOS管相关产品

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