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场效应MOS管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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供场效应MOS管，FQP7N80C，FQP7N80
供场效应MOS管，FQP7N80C，FQP7N80
  • 品牌：

    FAIRCHILD（*童）

  • 型号：

    FQP7N80C

品牌/商标 FAIRCHILD（*童） 型号/规格 FQP7N80C 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 亿隆半导体有限公司是一家的电子元件供应商,专...

场效应MOS管2SJ367
场效应MOS管2SJ367

    品牌:NEC 型号:2SJ367 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装2SJ367可批量也可*售，现货供应,品种*,欢迎咨询,订购.经营电子元器件：贴片二三*管，电容，电阻，电感，磁珠，...

    • 颜少华

    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东深圳

      • 电话：0755-23815756

    仙童场效应MOS管，FQPF8N80C，FQPF8N80，8N80
    仙童场效应MOS管，FQPF8N80C，FQPF8N80，8N80
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/仙童

    • 型号/规格：

      FQPF8N80C

    • 种类：

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      L/功率放大

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    IR（国际整流）场效应MOS管
    IR（国际整流）场效应MOS管
    • 型号/规格：

      IRF840，IRF830，IRF740，IRF730，IRF640，IRF630，IRF540，IRF530，IRF3205，IRF1010，IRF9Z34

    • 品牌/商标：

      IR

    • 封装形式：

      塑料封装

    • *类别：

      无铅*型

    场效应MOS管技术资料

    • 载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

      意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD，可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺，由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列

    场效应MOS管相关产品

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