拆机 * 三*管 达林顿 晶体管 高压管 开关管
*
TO220 TO* TO*L TO247
普通型
直插式
散装
大功率
高频
电话:0754-84495998
手机:18948024999
放大
FAIRCHILD/*童
MJE13005
硅(Si)
直插型
电话:86 0754 82330075
手机:18025534495
其他(V)
MRF158
MRF158
MOTOROLA
通用
手机:
开关
*芯片(汕半)
BUS13A
硅(Si)
功率型
175
15
5
手机:13670546826
点接触型
硅(Si)
是
放大
N/A(W)
NPN型
N/A(A)
直插型
手机:
ST/意法
TIP122
结型(JFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:15815004462
韩产
2SK3878
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15816710626
1(℃)
1
BU508A
硅(Si)
*拆机
开关管
3
是
手机:
IR/国际整流器
IRLML2803
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
电话:754-84475714
是
*
供应拆机 * 三*管 达林顿 晶体管 高压管 开关管
达林顿
锗(Ge)
PNP型
10(V)
5(A)
电话:86 754 84495998
手机:13592833368
IR/国际整流器
IRF9620S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
电话:0754-86679997
振荡
Sanyo Semicon Device
小功率三*管S8550(PNP
TO-09封装
联系卖家
联系卖家
联系卖家
小功率三*管S8550(PNP
电话:754-84493202
品牌:TI 型号:ULN2003ADR2G 批号:09+ 封装:SOP-16 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:3.9(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:220(...
电话:754-84467453
否
*
*108,*109,*110
开关
硅(Si)
NPN型
/(V)
/(A)
电话:0754-86673199
开关
*芯片
2SC3058
功率型
硅(Si)
30
3
250
电话:0754-88626462
SIE德国西门子AG
BUP400
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
*(V)
*(V)
*(μS)
电话:754-84497561
品牌:IR 型号:G*C30FD-S 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:电源/逆变转换/UPS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30(V) 夹断电压:24(V) 低频跨导:30(μS...
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当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载,这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此,除非驱动器可以提供几...
双极晶体管结构 上文给出了PNP和NPN双极晶体管的结构和电路符号,电路符号中的箭头始终表示基极端子和发射极端子之间“常规电流流动”的方向。对于这两种晶体管类型,箭头的方向始终从正 P 型区域指向负 N 型区域,与标准二极管符号完全相同。 双极晶体...
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明:除少数例外,这些都不适合任何系列生产。 基本上,驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电,但这不是恒定的。 当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体...