IR/国际整流器
IRLML2803
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
企业名:陈德民
类型:经销商
电话: 754-84475714
联系人:陈德民
地址:广东汕头广东省汕头市潮南区陈仙路16号
典型关断延迟时间 | 9 ns | |
典型接通延迟时间 | 3.9 ns | |
典型栅*电荷@Vgs | 3.3 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 85 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.4mm | |
封装类型 | SOT-23 | |
尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
引脚数目 | 3 | |
工作温度 | -55 °C | |
*大功率耗散 | 0.54 W | |
*大栅源电压 | &plu*n;20 V | |
*大漏源电压 | 30 V | |
*大漏源电阻值 | 0.25 Ω | |
*大连续漏*电流 | 1.2 A | |
*高工作温度 | 150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 3.04mm | |
高度 | 1.02mm |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司