IR/国际整流器
IRFZ34N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
企业名：陈德民
类型：经销商
电话： 754-84475714
联系人：陈德民
地址：广东汕头广东省汕头市潮南区陈仙路16号
| 典型关断延迟时间 | 31 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 典型栅*电荷@Vgs | 34 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 700 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| *大功率耗散 | 68 W | |
| *大栅源电压 | &plu*n;20 V | |
| *大漏源电压 | 55 V | |
| *大漏源电阻值 | 0.04 Ω | |
| *大连续漏*电流 | 29 A | |
| *高工作温度 | 175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 高度 | 8.77mm |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
